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台积电本月引进High-NA EUV曝光机,韩媒直指三星落后将加大

2024-09-12 来源:美希科技

韩国媒体BusinessKorea引述台湾媒体的报道指出,芯片代工龙头台积电将于9月底从荷兰ASML公司接收第一套High-NA EUV曝光机──EXE:5000,这对对于全球领先台积电来说是一个重要的里程碑,但是对竞争对手三星来说,无疑地将拉大两家公司的竞争差距。

报道表示,最初台积电对于早期就采用High-NA EUV曝光机持保守态度,原因是成本过高,且关系到生产复杂性的优化问题。不过,针对AI芯片对先进制程需求的快速增长,促使台积电修改了策略。期望通过提前获得新一代EUV曝光机,未台积电在激烈竞争的半导体产业中保持其技术的优势。

报道强调,High-NA EUV曝光机将数值孔径从0.33增加到0.55,可在半导体芯片上达到更高分辨率和更精确的曝光作业。这项技术对于2纳米以下节点制程的开发至关重要,因为2纳米以下节点制程对于生产更小、更强大、更高效的芯片为重要关键,这使得每套High-NA EUV曝光机的价格约3.84亿美元,期也反映了其先进制程所需的大量投资。

台积电计划从A14节点制程开始采用High-NA EUV曝光机,并规划在2027年开始量产。随着英特尔在代工业务面临挑战,台积电拥有的领先技术,将可以巩固其在先进制程技术竞争中的领先地位。另一方面,相较于台积电,韩国三星在取得High-NA EUV曝光机的竞争中落后了,因此需要修改其发展策略。三星计划于2025年量产2纳米节点制成,到了2027年开始量产1.4纳米节点制成,这与台积电的发展蓝图保持一致。不过,三星必须验证其先进制程制程技术的良率状况,以以吸引大客户青睐,并缩小与台积电的差距。

根据市场研究公司TrendForce的数据显示,台积电2024年第二季在代工市场上拿下了62.3%的市场占有率,大幅超过了三星电子11.5%的占比。根据一位韩国市场人士评论表示,三星电子将3纳米以下节点制成视为缩小与台积电差距的最佳战场,但是,引进High-NA EUV曝光机的落后时间越多,技术差距扩大的可能性也就越大。

报道强调,台积电推出High-NA EUV曝光机技术,凸显了半导体产业的激烈竞争,技术进步和战略投资对于维持市场领先至关重要。随着对AI带动应用的需求持续激增,先进制程技术的开发和商业化竞赛只会加剧,进而塑造半导体制造的未来格局。

(首图来源:台积电)

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